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摘要
忆阻器作为一种新型纳米级电子器件，被广泛应用于逻辑编程电路、存储器及神经形态系统中，因此建立恰当的、逼真的忆阻模型便成为进行忆阻相关研究的重要基础。为了更加精确地模拟实际忆阻设备的特性，提出了一种通用型窗口函数，基于Matlab平台对其特性进行了分析。仿真结果表明：相比于现有的其他窗函数，本文提出的窗口函数不仅克服了边界效应、边界锁定等缺点，还实现了非线性漂移、线性与非线性模型之间的转换等功能，同时在灵活性和可调整范围方面有了较大提升。特别地，通过对参数的调整可以获得两种不同变化速度的曲线，以此实现对真实忆阻设备更为精细的拟合。
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