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摘要
红外探测技术是推进我国军事和民用领域装备发展所需的重要技术,而新型红外探测材料及其器件的研发则是发展红外探测技术的关键和核心.随着人类探索领域不断扩展到特殊环境中,发明具有良好稳定性、响应度和抗辐照性能的非制冷红外探测材料及其器件制备技术,成为了材料科学和光电器件研制领域的研究热点.碲铟汞(Hg3-3xIn2xTe3)具有较宽的使用温度范围和良好的温度稳定性,是近年来发现的可在非制冷条件下工作的红外探测材料.与现有的红外探测器性能相比,碲铟汞探测单元器件在300, K室温下的响应光谱波长宽(1～2.5,μm),量子效率大于80％,室温探测率不低1010, cm·Hz1/2·W-1,其在非制冷条件下的探测性能优良.此外,Hg3In2Te6作为缺陷型化合物半导体材料,具有良好抗辐照特性,能够在高能射线辐照环境下保持高量子效率,是适合太空探测、核电站监测、核舰船等领域的红外探测材料,也是适用1.3,μm和1.5,μm 这两个"窗口"波段信号收集的光通信材料.
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单位西北工业大学; 材料学院
