过共晶Al-Si合金熔体中初生硅生长特性

作者：张蓉; 黄太文; 刘林

来源：中国有色金属学报, 2004, (02): 262-266.

DOI：10.19476/j.ysxb.1004.0609.2004.02.020

• 初生硅
• 晶体生长
• 铝硅合金 primary silicon
• crystal growth
• Al-Si alloy

利用等温液淬的方法,研究了Al 18%Si过共晶合金熔体中初生硅的生长行为及机制。结果表明:重熔过程中熔体中未溶解的硅相粒子,在凝固过程中可成为初生硅生长核心,并且未熔颗粒与初生硅形状之间存在明显对应关系;初生硅的生长机制不是惟一的,既可以以孪晶凹角(TPRE)机制生长,还可以以层状机制生长,初生硅最终形状还要取决于溶质传输等动力学环境;随着熔体过热温度的升高,凝固组织中初生硅形状由多边形向星形及树枝状转变。

• 单位
  凝固技术国家重点实验室; 西北工业大学