摘要
采用无催化剂高温反应热蒸发和磁控溅射相结合的方法,在碳布上生长了W@WO3纳米结构薄膜。通过XRD、SEM、XPS测试表明样品结构具有很好的结晶性,且W颗粒吸附在WO3纳米薄膜上构成了欧姆结,可用于提高半导体材料的电荷分离效率。通过将样品放入罗丹明B溶液进行可见光照射5h,76%的RB可被降解,与降解效率为26%的WO3纳米结构相比,经过W修饰后的样品光催化性能可得到大幅提升。实验利用碳布作为衬底生长出大比表面积纳米薄膜,可为了提供更多的光催化反应的活性位点。实验无需采用价格昂贵的贵金属修饰,也无需采用催化剂,可为低成本简易制备高质量的光催化材料提供有效制备方法,在污水等有机物的处理降解领域具有广阔的应用前景。
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单位嘉应学院; 电子工程学院