基于离子注入边缘终端的垂直AlN肖特基二极管及制作方法

作者：赵胜雷; 宋秀峰; 张进成; 张雅超; 刘志宏; 张春福; 陈大正; 郝跃

来源：2019-12-10, 中国, CN201911258100.3.

本发明公开了一种基于离子注入边缘终端的垂直AlN肖特基二极管,主要解决现有技术击穿电压较低,可靠性较差的问题。其自下而上包括衬底(1)、n+层(2)、漂移层(3),衬底(1)的下部设有阴极(5),漂移层(3)的上部设有阳极(6),漂移层(3)和阳极(6)上部设有钝化层(7),阳极(6)下方的漂移层(3)中通过离子注入形成边缘终端(4)。本发明由于对衬底、n+层和漂移层均采用AlN材料,并采用离子注入边缘终端降低阳极下方边缘电场峰值,提高了器件的击穿电压和可靠性,可作为大功率系统以及开关应用的基本器件。

• 单位
  西安电子科技大学