五层纳米SiO2-Al2O3/聚酰亚胺复合薄膜的制备及性能

作者：杨瑞宵; 陈昊; 王相文; 赵伟; 范勇

来源：复合材料学报, 2018, 35(05): 1050-1058.

DOI：10.13801/j.cnki.fhclxb.20170630.001

• 复合薄膜
• 聚酰亚胺(PI)
• SiO2-Al2O3纳米粒子
• 多层结构
• 介电性能
• 耐电晕

采用浸胶法制备了一系列SiO2-Al2O3/聚酰亚胺(SiO2-Al2O3/PI)五层耐电晕薄膜AmAnPAnAm,其中中间层(P)为纯PI薄膜,外层(Am)、次外层(An)分别为SiO2-Al2O3掺杂不同质量分数的纳米SiO2-Al2O3/PI薄膜。采用TEM、FTIR、宽频介电谱仪、电导电流测试仪、耐电晕测试仪、介电强度测试仪和拉伸实验机对五层纳米复合PI耐电晕薄膜的微观结构、介电性能和力学性能进行了表征和测试。结果表明,SiO2-Al2O3/PI复合薄膜掺杂层形成了分布均匀的有机/无机复合结构;SiO2-Al2O3纳米粒子的保护作用是影响复合材料耐电晕性能的主要因素,复合薄膜A32A16PA16A32的耐电晕寿命最大,为23.4h;外层掺杂量对五层SiO2-Al2O3/PI复合材料的介电强度影响较大,复合薄膜A20A28PA28A20的介电强度最大,为302.3kV/mm;通过对五层复合结构的设计,可以在兼顾材料力学性能的同时,提高其耐电晕寿命和介电强度。

• 单位
  电子工程学院; 哈尔滨理工大学