科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本工作将c面蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜通过电镀及激光剥离的方法转移到金属基板上,并经过芯片制造获得垂直结构的LED发光器件,测试了该器件的变温变电流特性。结果表明:本样品具有良好的变温变电流性能,本研究将之归结于良好的晶体质量、金属基板良好的热导率及较合理的外延结构。
- 单位
本工作将c面蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜通过电镀及激光剥离的方法转移到金属基板上,并经过芯片制造获得垂直结构的LED发光器件,测试了该器件的变温变电流特性。结果表明:本样品具有良好的变温变电流性能,本研究将之归结于良好的晶体质量、金属基板良好的热导率及较合理的外延结构。
