本发明公开了一种二维AlN/GaN HEMT射频器件及其制备方法,包括衬底、GaN沟道层、二维AlN势垒层、SiNX钝化层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极。本发明采用厚度仅为几个原子层的二维AlN层替代AlGaN势垒层,在提高异质结极化强度的同时,提高器件的纵横比,有利于实现器件频率和效率的同步提升。
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