SiN_x和SiC材料的红外吸收特性研究

作者:王欣; 于晓梅; 田大宇
来源:传感技术学报, 2006, (05): 1778-1780+1784.
DOI:10.3969/j.issn.1004-1699.2006.05.124

摘要

采用LPCVD和PECVD技术制作了不同厚度的SiNx和SiC材料样品,使用傅立叶变换红外光谱仪对其进行了红外吸收特性测试,并通过离子注入的方式对其红外吸收特性进行调节.实验结果表明:LPCVDSiNx材料在8~14μm波段存在吸收峰,而PECVDSiNx和SiC材料在3μm~5μm波段和8~14μm波段存在吸收峰.随着材料厚度的增加,吸收度也增加,1μm厚的LPCVDSiNx,红外吸收度可以达到0.92.离子注入可改变材料的红外吸收能力.

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