沉积温度及热处理对AZO纳米叠层薄膜性能的影响

作者：丁铮; 关钧; 端木庆铎^*

来源：微纳电子技术, 2019, 56(02): 140-144.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2019.02.009

• 微通道板(MCP)
• 氧化锌铝(AZO)纳米薄膜
• 原子层沉积(ALD)
• 热处理
• 电学特性

采用原子层沉积技术(ALD)在石英片和n型(100)Si上沉积高阻氧化锌铝(AZO)纳米叠层薄膜,通过扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)和体积表面电阻率测试仪对薄膜的表面形貌、晶体结构及电学性能进行表征分析,分别研究了不同沉积温度及退火温度对薄膜结构及性质的影响。研究结果表明AZO薄膜存在最优的生长温度窗口为170～200℃,同时发现,经过退火处理的薄膜电阻率明显增大,且适当的退火有助于薄膜结构的优化,经过400℃下退火4 h后的薄膜电阻趋于稳定,可作为微通道板(MCP)打拿极高阻导电层材料。

• 单位
  长春理工大学