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摘要
GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)作为新一代功率开关器件,越来越多地应用于各类高频电力电子功率变换器中。由于GaN HEMT属于超高频器件,驱动电路设计需要考虑电磁兼容及杂散参数的影响,与以往Si MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)管差异较大。通过实例阐述了GaN HEMT驱动电路设计方法,并通过双脉冲实验验证了在额定电流下,该驱动电路可以控制管子实现可靠开通、关断。最终,搭建了450 W GaN HEMT全桥移相电路实验平台,对比了GaN HEMT与Si MOSFET管在相同的隔离型功率变换器中应用的性能差异。
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单位北京交通大学; 中车工业研究院有限公司
