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摘要
目前,很难找到介绍关于VDMOS参数的测试方法的文献,而且所能找到的文献主要介绍的都是VDMOS的基本测试方法,且多是静态参数。而VDMOS的动态参数占全部待测参数的70%之多,不同的参数需要搭建不同的测试电路环境,并且由于动态参数测试较复杂,因此很难实现快速准确的测量,尤其是大功率VDMOS动态参数。只有建立全面的参数测试手段,方能指导器件的研发及使用。论文重点分享了在VDMOS雪崩耐量测量中技术难点和解决思路。论文涉及的工作内容对于目前国内研发VDMOS器件的测试工作将起到一定的指导作用。
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