为了提高窄带半导体CdS的光催化产氢活性,通过光沉积方法成功在CdS表面负载了无定型MoSx助催化剂.用X射线衍射、透射电镜、紫外可见漫反射、X射线光电子能谱和光电流测试,对制备的催化剂进行了表征.结果表明:在可见光照射下,无定型MoSx/CdS表现出了比纯CdS更高的光催化产氢活性,其产氢活性是纯CdS的2.8倍,达到2.02 mmol/(g·h).研究表明,CdS光生电子和空穴的有效分离以及无定型MoSx暴露了更丰富的不饱和S原子作为活性位点是产氢活性提高的主要原因.
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