科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
采用硼/碳热还原-热压烧结集成工艺制备了高纯致密的Ce1-xGdxB6 (x=0.1～0.4)多晶块体，研究Gd共掺杂Ce B6对其结构、力学性能与电学特性的影响。结果表明：Ce1-xGdxB6呈Cs Cl型简单立方单相结构，多晶块体力学性能优异，显微硬度可达22.72 GPa (x=0.1),Ce1-xGdxB6阴极电阻率随着Gd含量的增加逐渐上升。热电子发射性能结果表明，Gd掺杂能够改善Ce B6阴极材料的发射特性，在测试温度1573 K，外加电压1k V条件下，Ce0.9Gd0.1B6阴极的发射电流密度为956 m A·cm-2，零场发射电流密度为213.8 m A·cm-2,Ce1-xGdxB6阴极在1323～1573 K中低温范围平均有效功函数为1.985～2.01 e V。第一性原理计算结果表明，Gd掺杂Ce B6可减弱近费米能级Ce 4f态电子的局域化程度，引起费米能级升高，减小电子逸出功，增强阴极的发射电流密度。
- 单位
