非平衡磁控溅射制备氮化硅薄膜及其性能研究

作者:景凤娟; 张琦; 冷永祥; 孙鸿; 杨苹; 黄楠
来源:真空科学与技术学报, 2009, (5): 541-545.
DOI:10.3969/j.issn.1672-7126.2009.05.17

摘要

采用非平衡磁控溅射技术,通过改变氮气和氩气分压比P(N2)/P(Ar),在钛合金(Ti6Al4V)表面制备出不同结构及性能的氮化硅薄膜.结果显示,制备的氮化硅薄膜为非晶态结构,随着氮气分压的增加,Si-N键的含量增加,其对应的红外吸收峰逐渐变宽,并向高波数偏移.氮化硅薄膜的显微硬度、耐磨性随着P(N2)/P(Ar)的增加而先增加,当P(N2)/P(Ar)为0.25时,随着P(N2)/P(Ar)的

全文