近年来,一种新型的二维半导体材料黑磷,由于其特殊的物理性质而引起广泛关注。文章利用第一性原理系统研究了硫原子吸附在黑磷表面浓度对带隙的影响。研究发现原子在2x2的超胞中吸附时带隙由原始0.81eV变为1.06eV,同时增大了结构的稳定性。当我们改变吸附浓度带隙值也随之改变,结果显示硫原子吸附黑磷表面在2x2-2,3x3-2,4x4-2,2x2,3x3,4x4的超胞中,硫原子双边吸附在黑磷表面时吸附能量负的更大。
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