以Zn、Cd和S、Se、Te组成的二元化合物及多元合金为研究对象,从基本性质、体材料和薄膜材料的生长方法、掺杂、退火等几个方面入手,介绍了Ⅱ-Ⅵ族晶体材料的研究进展。对比了不同生长方法的生长机理差异及其对产品尺寸、纯度、缺陷和性能的影响,对影响产品性能和质量的关键因素如生长参数、生长设备、衬底等方面进行了阐述,为实现Ⅱ-Ⅵ族晶体材料的生长优化提供了参考。
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