紫外激光刻蚀单晶硅片工艺的试验研究

作者：高永强; 史兴隆

来源：应用激光, 2021, 41(05): 974-978.

DOI：10.14128/j.cnki.al.20214105.974

• 紫外激光
• 单晶硅硅片
• 刻蚀
• 工艺参数

紫外激光刻蚀单晶硅片时,热传导作用和等离子热效应等多种作用机理共同决定刻蚀效果,热传导作用导致材料的熔化和气化,等离子体热效应导致材料破碎和抛出。从理论上分析各种作用机理中相关工艺参数的作用,并针对不同的工艺参数进行测试,综合分析各个工艺参数在刻蚀过程中对刻蚀质量的影响,在此基础上,为寻找最优刻蚀工艺参数和最佳刻蚀效果提供指导原则,通过试验验证指导原则的合理性,并得到刻蚀硅片的最优刻蚀工艺参数。试验可知,单个激光脉冲的功率密度和频率对槽深和槽宽影响最大,单个激光脉冲的功率密度和扫描速度对槽的成形质量影响最大。

• 单位
  内蒙古工业大学; 枣庄科技职业学院; 无锡科技职业学院