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摘要
本发明涉及一种具有大电流密度的增强型氧化镓功率晶体管及制作方法,方法包括：获取Fe掺杂的β-Ga-2O-3衬底层；在β-Ga-2O-3衬底层上生长β-Ga-2O-3材料的UID层；在UID层上生长层叠组合层；通过刻蚀去除欧姆区域的层叠组合层,以暴露欧姆区域的UID层；在欧姆区域的UID层上沉积第一金属叠层,并进行退火形成欧姆接触,以制备源极和漏极；在源极和漏极之间对层叠组合层进行均匀光刻,然后进行刻蚀形成矩形结构的Fin结构；在Fin结构的栅极区域沉积Al-2O-3介质层；在Al-2O-3介质层上沉积第二金属叠层,形成栅极。本发明提供一种具有大电流密度的增强型氧化镓功率晶体管及制作方法,以解决目前氧化镓功率晶体管增强型器件电流密度过低的问题。
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