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摘要
碳化硅(SiC)器件的高开关速度使得其瞬态过程的非理想特性显著增加,对杂散参数也更为敏感,容易激发高频振荡和超调。为充分发挥其高速开关过程中的低损耗性能优势,在此采取理论定性与实验定量相结合的方式,揭示了驱动参数对SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关特性的调控规律。通过搭建双脉冲实验平台,在验证模型分析准确性的基础上,着重研究驱动参数的匹配关系,在获得同样振荡和超调抑制效果时,实现更低的开关损耗。
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单位北京交通大学; 中车长春轨道客车股份有限公司
