机械磨抛对CdZnTe薄膜阻变特性的影响

作者：孔帅; 吴敏; 聂凡; 曾冬梅^*

来源：人工晶体学报, 2022, 51(11): 1878-1883.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2022.11.002

• CdZnTe
• 磁控溅射
• 机械磨抛
• 粗糙度
• 表面缺陷
• 阻变特性
• 再结晶

采用磁控溅射法在ITO玻璃上制备了CdZnTe薄膜，探究机械磨抛对CdZnTe薄膜阻变特性的影响。通过对XRD图谱、Raman光谱、AFM显微照片等实验结果分析阐明了机械磨抛影响CdZnTe薄膜阻变特性的物理机制。研究结果表明，磁控溅射制备的薄膜为闪锌矿结构，■空间群。机械磨抛提高了CdZnTe薄膜的结晶质量；CdZnTe薄膜粗糙度(Ra)由磨抛前的3.42 nm下降至磨抛后的1.73 nm;磨抛后CdZnTe薄膜透过率和162 cm-1处的类CdTe声子峰振动峰增强；CdZnTe薄膜的阻变开关比由磨抛前的1.2增加到磨抛后的4.9。机械磨抛提高CdZnTe薄膜质量及阻变特性的原因可能是CdZnTe薄膜在磨抛过程中发生了再结晶。

• 单位
  北京石油化工学院; 材料与化工学院