预热温度对热超声楔焊键合强度的影响

作者：阳微

来源：电子工艺技术, 2019, 40(03): 171-174.

DOI：10.14176/j.issn.1001-3474.2019.03.013

• 热超声楔焊
• 预热温度
• 正交试验
• 键合强度

某型芯片金丝热超声楔焊过程中,镀金焊盘容易起层,经分析是由于芯片键合时预热温度处于工艺温度下限导致。对该芯片的热超声楔焊过程进行了正交试验分析,在键合设备及安装长度等条件不变的情况下,研究了影响键合强度的因素。实验表明,最佳预热温度"工艺窗口"出现在150℃,此时键合强度可达到0.15 N左右。

• 单位
  成都西科微波通讯有限公司