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摘要
本发明公开了一种高击穿电压的肖特基二极管,主要解决现有肖特基二极管器件击穿电压过低无法广泛应用在高压高功率器件中的问题。其包括：欧姆接触金属Au层、欧姆接触金属Ti层、高掺杂n型Ga2O3衬底和低掺杂n型Ga2O3薄膜,低掺杂n型Ga2O3薄膜上开有的斜坡凹槽台,斜坡凹槽台侧壁上设有的金属环,斜坡凹槽台台面上设有的肖特基电极Ni层和肖特基电极Au层,肖特基电极Ni层和肖特基电极Au层的两侧设有绝缘介质,肖特基电极Ni层和肖特基电极Au层与绝缘介质之上设有肖特基场板。本发明避免了在反向关断时随着电压的增加肖特基结的边缘处承受的电场强度尖锐集中分布,提高了击穿电压,可用作功率器件和高压开关器件。
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