一种新型D-RESURF埋栅SOI LDMOS

作者：廖红; 张伟; 罗小蓉; 张波; 李肇基; 顾晶晶

来源：微电子学, 2008, (06): 869-872.

• 功率器件
• 埋栅
• Double RESURF
• SOI LDMOS Power device
• Embedded gate
• SOI LDMOS

提出了一种新型D-RESURF埋栅SOI LDMOS(EGDR-SOI LDMOS)结构,其栅电极位于P-body区的下面,可以在扩展的埋栅电极处形成多数载流子的积累层;同时,采用DoubleRESURF技术,在漂移区中引入两区的P降场层,有效降低了器件的比导通电阻,并提高了器件的击穿电压。采用二维数值仿真软件MEDICI,对器件的扩展栅电极、降场层进行了优化设计。结果表明,相对于普通SOI LDMOS,该结构的比导通电阻下降了78%,击穿电压上升了22%。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学