近红外增强CCD成像器件研究

作者：曲鹏程; 陈清华; 吴琼瑶; 廖乃镘; 岳志强; 廖晓航; 刘昌林

来源：电子技术, 2021, 50(11): 1-4.

• 背照CCD
• 近红外增强
• 反应离子刻蚀
• 黑硅

阐述采用背照式CCD工艺,制备一种新型的近红外增强CCD。相比较传统的近红外增强CCD(增加外延层厚度),基于反应离子刻蚀法在该器件背面进行了黑硅制作,在紫外光(波长250nm)到近红外光(波长2 500nm)都具有高吸收率,可以增强CCD近红外响应灵敏度。结果表明,在400～1 060nm波长范围内,黑硅反射率小于7%,吸收率大于93%。黑硅CCD近红外响应得到增强,与常规CCD相比,在波长950～1 060nm的量子效率分别从34%和1%提高到41.8%和16.1%。