V型金丝间距对微波组件电性能的影响

作者：史亮; 兰春丽; 杨飞; 黎英; 卞丽容; 朱继祖

来源：电子工艺技术, 2021, 42(04): 224-227.

DOI：10.14176/j.issn.1001-3474.2021.04.010

• 金丝键合
• V型金丝
• 微波组件
• 电性能
• 有限元仿真

金丝键合是微波组件产品制造中的重要工艺,其中V型金丝应用广泛。针对V型金丝的键合间距对微波组件的电性能影响进行研究,运用仿真及实验的方法进行详细分析。分析结果表明,V型金丝间距增大,驻波比参数变小,插入损耗变小,相位差增大。

• 单位
  成都西科微波通讯有限公司