PZT/LaNiO_3/LaAlO_3结构制备及性能研究

作者：张洪伟; 张树人; 黄文; 刘劲松; 杨成韬; 杜善义

来源：压电与声光, 2007, (04): 442-444.

• LaNiO3
• PZT
• 激光脉冲沉积
• 射频磁控溅射
• 退火 LaNiO3
• PLD
• RF magnetron sputtering
• annealing

利用激光脉冲法在LaAlO3衬底上沉积制备LaNiO3薄膜作为底电极材料,其上利用射频磁控溅射制备了PZT铁电薄膜。试验分析了LaNiO3表面结构和形貌,采用快速退火法在不同温度下对样品进行了热处理,发现在500℃即得到(100)取向、晶化完全的PZT薄膜,而性能测试表明,600℃下晶化的样品表现出非常优异的介电和铁电性能,电滞回线完全饱和而且形状对称,剩余极化和矫顽场分别为28.3μC/cm2和54.1 kV/cm。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 哈尔滨工业大学; 材料学院