InAsSb材料的LP-MOCVD生长

作者：徐庆安; 邵逸恺; 汪韬; 尹飞; 闫欣; 辛丽伟; 王警卫

来源：半导体光电, 2015, 36(05): 733-740.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2015.05.013

• InAsSb
• LP-MOCVD
• 超晶格
• GaSb衬底
• 红外探测器

采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了高质量的InAsSb材料。分析了InAs/GaSb超晶格红外材料在不同生长条件下的生长质量,对器件材料结构进行了表征,并进行了理论分析和优化生长。采用X射线双晶衍射原子力显微镜对其外延薄膜的单晶质量进行分析,得到外延层与衬底材料的晶格失配仅为-0.43%。通过调节过渡层材料来减小界面处的应变,提高材料的生长质量,利用光致发光谱对材料做了检测分析。给出了InAsSb材料的LP-MOCVD生长的参数分析和测量分析,为以后生长和分析InAsSb材料提供了很好的基础。

• 单位
  瞬态光学与光子技术国家重点实验室; 中国科学院西安光学精密机械研究所; 北京控制工程研究所