本发明公开了一种AlN纳米线日盲区探测器的制备方法,包括,S1在Si衬底上沉积5-25nm厚的Ni金属层；S2采用等离子体辅助化学气相沉积法制备AlN一维材料；S3在AlN一维材料上光刻出所需的叉指电极图形；S4在叉指电极图形蒸镀Ti/Ni/Au电极,与AlN一维材料形成肖特基接触,并剥离出叉指电极,得到AlN纳米线探测器。本发明在制备过程中无复杂操作和其他有害副产物产生,运用该工艺重现性和可控性良好,同时器件的制备加工也相对容易,推动了紫外探测技术的发展。
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