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摘要
本发明公开具有增透钝化层的纳米孔LED阵列芯片及其制备方法。本发明的LED阵列芯片,由N×N个发光单元组成,每个发光单元的阳极单独引出,所有发光单元共阴极；发光单元的有源区具有较深的纳米孔,纳米孔的深度超过量子阱层；GaN材料表面的介质薄膜层也分布有较浅的纳米孔,纳米孔的底部有介质薄膜。本发明通过有源区域上介质钝化层开槽,结合软膜纳米压印技术,使得有源区域的深纳米孔和钝化层的浅纳米孔可同时制备完成,有源区域的深纳米孔提高了辐射复合速率,钝化层的浅纳米孔构成了增透的钝化层,都有利于提高光子模式的逸出,提高出光效率和调制带宽。此外,本发明的制备方法避免了深刻蚀工艺,具有工艺简单、良率高的优点。
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