3D堆叠技术的引入，大幅提升了NAND闪存存储容量，但由于制程工艺的影响，导致不同层的存储单元会出现差异，而且随着堆叠层数的增加，不同层的存储单元的特性差异将更加明显。为了研究制程差异对闪存层间性能的影响，我们通过硬件设备对闪存芯片特性进行实测，得到了不同层的存储单元在不同噪声下的原始误码率和阈值电压分布关系。实验结果显示，随着编程/擦除次数的增加和数据保持时间的增长，不同层的存储单元的性能差异将更加明显，需要借助先进的信道检测技术来改善存储性能。
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