ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的制备及光学性质研究

作者：黄杨; 黎兵; 王洪浩; 颜璞; 李愿杰; 刘才; 孟奕峰; 冯良桓

来源：功能材料, 2009, 40(04): 643-644+649.

• ZnS/CdS单带差超晶格
• 磁控溅射
• 光透过性质

为了提高CdTe太阳电池的效率,ZnS/CdS单带差超晶格被创新性地提出。用射频磁控溅射法制备了ZnS/CdS单带差超晶格薄膜,用SEM观察样品截面,分层清晰;测试了ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的透过谱图,在300~800nm波长范围内存在4个明显的透过峰。相较于CdS单层膜与ZnS单层膜,ZnS/CdS单带差超晶格薄膜在可见光短波部分的光谱响应十分明显,说明ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的电子能带与光子吸收方式发生了明显的变化。理论上可以提高CdTe太阳电池的效率。

• 单位
  四川大学