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摘要
本发明涉及一种基于混维体系的高增益光探测器及其制备方法,包括绝缘衬底,位于绝缘衬底上的硒化铟纳米片沟道层,位于硒化铟纳米片沟道层上两侧端的第一和第二电极,位于硒化铟纳米片沟道层上、第一和第二电极之间的大尺寸梯度合金CdSe@Zn-xCd-(1-x)S量子点光敏层；本发明首次采用能带弯曲的梯度合金量子点作为混合体系的光敏层,且首次采用InSe纳米片作为混合体系的沟道层,解决了界面处费米能级钉扎效应,实现了,低噪声,高增益,高灵敏度的光探测。同时本发明的制备过程简单,技术成熟,设备易得,成本低廉,非常有利于商业化推广。
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