实现一种沟槽结构肖特基二极管的研发

作者：姚剑锋

来源：电子测试, 2020, (14): 95-96.

DOI：10.16520/j.cnki.1000-8519.2020.14.040

• 沟槽结构
• 肖特基二极管

文章提出了一种沟槽结构肖特基二极管,具有超低正向压降的特性。结合仿真设计软件,给出了器件参数优化设计方法,采用铜桥焊接,生产的LV10T100E产品性能优良,经过测试,达到了国外同类产品水平。

• 单位
  佛山市蓝箭电子股份有限公司