中波碲镉汞雪崩光电二极管的增益特性

作者：李雄军; 韩福忠; 李立华; 李东升; 胡彦博; 杨登泉; 杨超伟; 孔金丞; 舒恂; 庄继胜; 赵俊^*

来源：红外与毫米波学报, 2019, 38(02): 175-181.

• 中波碲镉汞
• 雪崩光电二极管
• 增益
• C-V

采用不同工艺制备了中波碲镉汞(Hg Cd Te)雪崩二极管(APD)器件,利用不同方法对其结特性和增益随偏压变化关系进行了表征,并基于Beck模型和肖克莱解析式进行了拟合分析.结果表明,不同工艺制备的APD器件饱和耗尽区宽度分别为1. 2μm和2. 5μm,较宽的耗尽层有效抑制了高反偏下器件的隧道电流,器件有效增益则从近100提高至1 000以上.用肖克莱解析式拟合Hg Cd Te APD器件增益-偏压曲线,获得了较好的效果.拟合结果与Sofradir公司的J. Rothman的报道相似.

• 单位
  昆明物理研究所