高压LED芯片是一种将一块大面积LED芯片分裂成多个互联的发光单元的新型芯片，与同样的传统大功率LED相比，高压LED芯片可由小电流、大电压驱动，其电流扩展性能和发光效率得到了提高。目前主流的LED芯片制备工艺和制备技术中存在制程工艺复杂、电极连接桥易断裂、漏电，发光效率低等问题。本文设计了一种大面积高压GaN基LED芯片，采用双层正胶工艺制作隔离槽光刻图形、合并制作CBL层与隔离槽桥侧壁绝缘层、PAD电极与电极搭桥等工艺制作了一款性能稳定、发光效率高的高压LED芯片。
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