InGaN紫外探测器的制备与性能研究

作者：卢怡丹; 王立伟; 张燕; 李向阳

来源：半导体光电, 2014, 35(05): 785-788.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2014.05.009

• GaN/InGaN
• p-i-n
• 紫外探测器
• 伏安特性
• 响应光谱

介绍了InGaN紫外探测器的研制过程,并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延材料,通过刻蚀、钝化、欧姆接触电极等工艺,制作了正照射单元In0.09Ga0.91N紫外探测芯片。并对该芯片进行了I-V特性、响应光谱等测试,得到芯片的暗电流Id为1.00×10-12 A,零偏压电阻R0为1.20×109Ω。该紫外探测器在360390nm范围内有较高的响应度,峰值响应率在378nm波长处达到0.15A/W,在考虑表面反射时,内量子效率达到60%;优质因子R0A为3.4×106Ω·cm2,对应的探测率D*=2.18×1012 cm·Hz1/2·W-1。

• 单位
  传感技术国家重点实验室; 中国科学院上海技术物理研究所; 中国科学院大学