抗辐射高压SOI埋氧总剂量效应研究

作者：徐海铭; 洪根深; 吴建伟; 徐政; 刘国柱

来源：电子与封装, 2019, 19(01): 41-47.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0010

• 埋氧
• 总剂量
• 加固

研究了抗辐射高压SOI埋氧总剂量加固技术,发现在总剂量辐射条件下不同埋氧加固工艺背栅阈值变化的情况。通过增加埋氧加固技术可以有效地抑制总剂量辐射环境下对高压器件的调制效应。

• 单位
  中国电子科技集团公司第五十八研究所