摘要
通过在2×1.7MV串列加速器前端设计并安装静电扫描装置和靶室,扩展了其030keV低能注入和沉积功能.利用低能离子注入的方法分别在Ni/SiO2和铜箔衬底上得到石墨烯薄膜,并运用Raman光谱和扫描电子显微镜研究了样品的形貌、薄膜层数及缺陷等性质.实验结果表明,在铜箔衬底上得到双层石墨烯薄膜.通过调试高能端和200keV注入机联机实验,在双束靶室中得到He,Li,C,N,Fe离子束,用于双束注入和辐照损伤等研究.
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单位中国科学院; 物理学院