高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层(下)

作者：翁妍; 汪辉

来源：半导体技术, 2008, 33(02): 93-97.

DOI：10.3969/j.issn.1003-353X.2008.02.001

• 栅介质薄层
• 高介电常数
• 电学结果

随着45 nm及32 nm技术节点的来临,高介电常数(high-k)材料成为代替SiO2作为栅介质薄层材料的较好选择,但是大多数高k材料是离子金属氧化物,其基本物理性能和材料特性不仅导致了很多不可靠因素,还会造成电学性能的损失。简述了高k材料的一些电学性能以及频率变化的电荷泵技术在高k栅介质薄层探测到的缺陷深度,总结了高k材料的基本限制及主要问题,并且介绍了未来技术节点的可能解决方案。

• 单位
  上海交通大学