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摘要
为研究瞬态电磁脉冲故障注入对集成电路芯片的影响及其故障机理,基于Marx发生器原理和MOSFET开关特性,研制了一个全固态纳秒级电磁脉冲发生器.基于提出的HSPICE软件仿真等效模型,分析了发生器电路主要寄生参数对MOSFET开关特性的影响,并建立了相应的数学模型,为电磁脉冲发生器的研制提供了设计指南.实验结果表明:建立的数学模型精度为96.7%;基于二级Marx电路的电磁脉冲发生器可产生幅值可调(0100V)、脉宽可变(2002 070ns)、最快下降沿为32ns的脉冲信号;在电磁探头下方5mm处的测试线圈上可测得1 600mV的感应电动势,并可利用该感应电动势来对芯片引入故障.
- 单位
