一款W波段GaN HEMT高谐波抑制八次倍频器MMIC

作者：项萍^*; 王维波; **飞; 郭方金; 潘晓枫; 徐志超

来源：固体电子学研究与进展, 2019, 39(01): 1-27.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2019.01.001

• W波段
• 倍频器
• GaN
• 高谐波抑制度

报道了一款采用0.1μm GaN HEMT工艺制作的W波段八次倍频器芯片。该芯片集成了3个二次倍频器和1个驱动放大器。二次倍频器采用有源平衡电路结构以实现较好的功率输出和有效的基波和奇次谐波抑制;驱动放大器采用单级负反馈电路结构,在实现良好输入输出匹配的同时兼顾增益平坦度。最终实现的八次倍频器芯片3 dB工作带宽为16 GHz(84～100 GHz),输出功率大于13 dBm,谐波抑制度大于40 dBc,带内谐波抑制度大于60 dBc。芯片面积3.6 mm×1.7 mm。