在超大规模集成电路制造过程中,平坦化技术是影响产品性能与质量的关键因素,只有发展好硅片平坦化技术,才能积极推动半导体芯片和集成电路技术的发展。本文将通过多个层面对硅片平坦化技术进行分析研究,对传统的化学机械抛光(CMP)和其他可能实现的技术进行分析、比较、讨论。通过介绍不同的硅片平坦化技术的特点和原理来探索在超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的发展。
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