针对传统场效应晶体管尺寸缩小给器件带来严重的短沟道效应和源漏隧穿效应等问题，提出一种基于肖特基势垒的采用主、辅栅分立式设计的U沟道XNOR场效应晶体管。设计通过增加金属铝与体硅的接触面积来实现肖特基隧穿效应，通过双栅结构来降低亚阈值摆幅，减小漏电流。通过U沟道设计来增加有效沟道长度，同时提高集成度。并通过控制两个栅极的电压极性来实现器件XNOR的逻辑功能。在实验部分使用Silvaco TCAD仿真软件完成器件转移特性与XNOR逻辑功能的验证。
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