摘要

记忆元件作为新型电路元件,其特殊的记忆特性引起了科研人员的广泛关注。本文从记忆元件的本构方程出发,推导出了记忆元件之间的转换关系,并仿真实现了三种分数阶记忆元件之间的相互转换,仿真实验结果验证了分数阶记忆元件之间相互转换关系式的正确性,同时,也详细分析了分数阶阶次对记忆元件影响的规律。