离子注入温度对NPN晶体管的影响探究

作者：刘春玲; 沈今楷; 王星杰

来源：集成电路应用, 2019, 36(07): 34-36.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2019.07.011

• 集成电路制造
• NPN
• 双极结型晶体管
• 电流增益
• 离子注入
• 靶盘温度

通过使用不同冷却系统的离子注入机台(昆腾和GSD200),调整靶盘的转速等实现离子注入温度的改变,研究NPN晶体管发射极离子注入温度对NPN晶体管的影响。实验结果表明离子注入温度越高,NPN晶体管的电流增益会随之降低。热波法检测结果显示离子注入温度越高,硅晶圆表面注入损伤越严重,注入损伤会使载流子迁移率下降,少子寿命降低,从而降低了双极晶体管发射极的注入效率,导致NPN双极结型晶体管的共射极的电流增益变小。