原位等离子体逐层氧化a-Si:H/SiO_2多层膜的光致发光研究

作者：马忠元; 黄信凡; 朱达; 李伟; 陈坤基; 冯端

来源：Acta Physica Sinica, 2004, (08): 2746-2750.

• a-Si:HSiO2多层膜
• 光致发光 a-Si:H/SiO 2 mutilayers
• blue photoluminescence

采用在等离子体增强化学汽相沉积系统中沉积a Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a Si:H SiO2 多层膜 .改变a Si:H层的厚度 ,首次在室温下观察到来自a Si:H SiO2 多层膜较强的蓝色光致发光和从 4 6 5到 4 35nm的蓝移 .x射线能谱证明 ,SiO2 层是化学配比的SiO2 ;C V特性表明 ,a Si:H SiO2 界面得到了很好的钝化 ;透射电子显微镜表明 ,样品形成了界面陡峭的多层结构 .结合光吸收谱和光致发光谱的研究 ,对其发光机理进行了讨论 .用一维量子限制模型对光致发光峰随着a Si:H层厚度的减小而蓝移作出了解释 ,认为蓝光发射可能来自a Si:...

• 单位
  固体微结构物理国家重点实验室; 南京大学