本发明涉及一种基于肖特基二极管的毫米波过保护电路的制备方法,包括制作正向肖特基二极管、反向肖特基二极管以及GaN基器件,并将正向肖特基二极管和反向肖特基二极管并联后通过金属互联工艺与GaN基器件连接,从而完成基于肖特基二极管的毫米波过保护电路的制作。本发明实施例,通过采用将正向肖特基二极管和反向肖特基二极管并联再与GaN基器件的栅极连接的电路,可以实现电路的自我保护,同时满足器件能够承受正反向大功率信号的冲击,实现器件的双向保护。
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