14 nm工艺光刻对准之异常问题与对策分析

作者：郑华明; 徐晓敏; 黄俊

来源：集成电路应用, 2019, 36(10): 25-27.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2019.10.010

• 集成电路制造
• 光刻
• 预对准
• 晶圆对准
• 套刻误差

探讨14 nm工艺生产过程中,在光刻晶圆对准时遇到的异常问题及其解决方案。通过预对准温控单元TSU与14 nm产品晶圆高度的有效控制,可有效改善对准异常问题且套刻精度OVL状况保持不变。