应变SiGe材料具有空穴迁移率高、带隙可调等优点,是延续摩尔定律最有潜力的新技术。本文基于应变SiGe量子阱PMOS器件结构与特点,建立其阈值电压模型,并分析Ge组分、氧化层厚度、Si帽层对应变SiGe量子阱沟道PMOS器件阈值电压的影响,为应变技术的发展和应用奠定理论基础。
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